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Tube de MOS d'effet de gisement de transistor de puissance de la série 700V CoolMOS P7 d'IPD70R1K4P7S

Certificat
De bonne qualité fusibles des véhicules à moteur de lame en ventes
De bonne qualité fusibles des véhicules à moteur de lame en ventes
Notre projet est très compliqué. L'équipe de Zhuolun nous a avec succès aidés à réduire le coût et à augmenter l'efficacité du projet. Merci !

—— Alcatel Lucent

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Tube de MOS d'effet de gisement de transistor de puissance de la série 700V CoolMOS P7 d'IPD70R1K4P7S

Chine Tube de MOS d'effet de gisement de transistor de puissance de la série 700V CoolMOS P7 d'IPD70R1K4P7S fournisseur

Image Grand :  Tube de MOS d'effet de gisement de transistor de puissance de la série 700V CoolMOS P7 d'IPD70R1K4P7S

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Julun
Certification: CE/UL/VDE/KC/ROHS
Numéro de modèle: PG-TO 252-3

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 100 / Négociable
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Carton standard
Délai de livraison: 7 ~ 10 jours ouvrables
Conditions de paiement: L/C, D/P, T/T, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 10000/Piece/Weekly
Contact Now
Description de produit détaillée
Affaire: PG-TO 252-3 Électrode: 3
Polarité: Comme marqué Position de montage: tout

 

Tube de MOS d'effet de gisement de transistor de puissance de la série 700V CoolMOS P7 d'IPD70R1K4P7S

 

 

Caractéristiques
• Extrêmement - basses pertes dues au *Qg très bas de FOM LE RDS (dessus) et aux *Eoss du RDS (dessus)
• Excellent comportement thermique
• Diode intégrée de protection d'ESD
• Basses pertes de commutation (Eoss)
• CRNA de validation de produit. Norme de JEDEC

 

Avantages
• Technologie concurrentielle de coût
• Une plus basse température
• Rugosité élevée d'ESD
• Permet des gains d'efficacité à de plus hautes fréquences de changement
• Permet des conceptions de densité de puissance élevée et de petits facteurs de forme

 

Applications potentielles
Recommandé pour des topologies de retour rapide par exemple utilisées dans les chargeurs,
Adaptateurs, allumant des applications, etc.

 

Paramètres de jeu clé et de paquet

 

Paramètre Valeur Unité
VDS @ Tj=25°C 700 V
Le RDS (dessus), maximum 1,4 Ω
Qg, type 4,7 OR
Identification, impulsion 8,2 A
Eoss @ 400V 0,6 μJ
V (GS) Th, type 3 A
Classe d'ESD (HBM) 1C /

 

Dactylographiez/code de commande Paquet Repérage Liens relatifs
IPD70R1K4P7S PG-TO 252-3 70S1K4P7 voir l'annexe A

 

 

Tube de MOS d'effet de gisement de transistor de puissance de la série 700V CoolMOS P7 d'IPD70R1K4P7STube de MOS d'effet de gisement de transistor de puissance de la série 700V CoolMOS P7 d'IPD70R1K4P7S

 

FAQ


Q : Queest-ce que je peux faire si j'obtenais un FUSIBLE cassé inc. de la forme A-TEAM de produit ?
A : D'abord de tous veuillez nous disent que dès que possible après que nous t'envoyions un neuf immédiatement mais nous envoyions svp le produit cassé .you ne doivent pas s'inquiéter de la charge de chariot que nous payerons celui.
Q ; Sommes-nous un importateur ou un fabricant ?
A ; Nous sommes un fabricant
Q : Pourquoi vous devez nous choisir
A : Assurance de haute qualité. La plupart de prix concurrentiel et d'expédition rapide


Dites-svp moi :
De quelles spécifications produit avez-vous besoin ? quand vous demandez une citation. Je te donnerai la plupart de prix concurrentiel par comme vos conditions. Et nous avons beaucoup de types qu'il faut que vous choisissiez.


P.S. : Si vous ne pouvez trouver aucun produits pour répondre à vos exigences. accueillez pour nous envoyer les dessins de détails de sorte que nous puissions nous fournir notre service professionnel et meilleur te.

Coordonnées
dongguan Julun electronics co.,ltd

Personne à contacter: Julun

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

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